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| 产品特性：标准品 | 品牌：容全 | 型号：RVT0J221M0605 |
| 系列：RVT | 标称容量：220UF | 容差：20% |
| 额定电压：6.3V | 等效串联电阻(ESR)：6.9 | 工作温度范围：-55~105 |
| 纹波电流@低频率：0.13 | 纹波电流@高频率：0.23 | 阻抗：6 |
| 引线间距：0.53 | 尺寸：6.3 | 高度-安装(最大值)：5.4 |
| 安装类型：盘装 | 封装/外壳：铝壳 | 应用领域：机械设备 |
用字母表示产品的介质材料：
瓷介电容：瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。
II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。
1. 高频圆片瓷介电容（CC）:电容量：1--6800p;额定电压：63--500V;主要特点：高频损耗小，稳定性好.应用：高频电路。低频瓷介电容（CT）。电容量：10p—4.7u。额定电压：50V--100V。主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差。应用：要求不高的低频电路。
CC1型1类瓷介电容器。 用途：CCI型1类瓷介电容器Q值高，容量稳定。用于谐振回路和需要补偿温度效应的电路中。63-500V。
CS1型3类瓷介电容器。用途：作频、宽频带旁路电容器及耦合电容器或使用于对损耗角正切、绝缘电阻要求不高的电路中。25V-50V。
CT71型2类交流瓷介电容器。用途：各类电子、电器设备，用于天线耦合，开关电路及跨接电源线等。250Vac。
CT81型2类高压瓷介电容器。用途：适用于1~3kV直流高压旁路和耦合电路。开关电源的缓冲电路。
2. 独石（多层陶瓷）电容器的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐湿性好等。应用范围：应用于电子仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。容量范围：0.5PF--1UF。耐压：二倍额定电压。独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。 2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。 独石电容的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了。就温漂而言:独石为正温糸数+130左右, CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小。
云母电容：云母电容是性能优良的高频电容之一，应用于对电容的稳定性和可靠性要求高的场合。
云母电容（CY）：电容量：10p—0.1u。额定电压：100V--7kV。主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路。
纸介电容：纸介电容因其比率电容大，电容范围宽，工作电压高，低而使用，缺点是稳定性差，损耗大， 只能应用于低频或直流电路，目前已被合成膜电容取代，但在高压纸介电容中还有一席之地。
1.CZ52 容量：0.1—0.25uf 额定工作电压：110—250v。绝缘性能：0.1uf为10000monh 0.25uf 为8000mohm。损耗角正切：（正常气候条件下）<0.01 2.金属化纸介电容器：他的电极是利用真空蒸发的方法在电容器纸上沉积一层金属薄膜做成， 因而体积较纸介电 容小得多。他的主要特点是具有自愈作用，当介质发生局部击穿后，其电性能可立即恢复到击穿前的状态。金属化纸介电容虽克服了纸介电容的一些缺点，但是仍然不能离开纸，他们的化学稳定性差，并且随着频率的上升损耗急剧增加，因此不适于高频电路。
CJ10容量：0.01—1uf 额定工作电压：160—400v 。损耗角正切：（正常气候条件下）<0.015 。
电解电容： 1. CD71 无极性铝电解电容器。具有体积小、容量大、损耗低、无极性并能等特点。本产品适用于仪器及电子设备的极性翻转或极性 交换线路中，特别适用于音响分频网络。
在音响电路中，用得多的是有机、无机介质和电解电容。有机电容又称为薄膜电容，常见的有纸介、聚酯（ＭＹＬＡＲ，即涤沦）、聚苯乙烯（ＭＫＳ）、聚丙烯（ＭＫＰ）、聚碳酸酯（ＭＫＣ）、聚对苯二甲酸酯（ＭＫＴ）等。其中纸介、ＭＹＬＡＲ和ＭＫＰ三种电容又各自分为有、无金属化介质两种。金属化介质的具有 “自愈”作用，抗击穿能力强，性能较好。ＭＹＬＡＲ和ＭＫＰ电容的无感性很好。无机电容以云母、瓷介、独石、玻璃釉等为主。电解电容以铝电解为代表，体积小而容量可以做到很大（几十微法至两、三万微法），但其频率特性、温度特性都较差，绝缘电阻明显低于薄膜电容（几百兆欧），漏电阻大，介质损耗也较大，故只适合于作电源退耦，不宜用于音频耦合及滤波器中。金属化聚丙烯电容（ＭＫＰ）是一款的发烧电容。国内以新德克、天逸等牌子，而国外则有法国的ＳＯＬＥＮ、德国的ＶＩＭＡ等。该电容品质，其容量误差小于３％，自身的电感量均小于５０ｎＨ，其谐波失真（ＴＨＤ）小于０．００１％，非常适宜作为级间耦合电容，而且还可用于并联在电源退耦的电解电容两端，可以有效地抑制电力网带来的高频干扰。但需要指出的是，ＭＫＰ电容虽然性能超卓，但并非是音频电路的“武器”，如在Ｄ／Ａ转换器的输出滤波器中就不宜选用ＭＫＰ电容，因为其频性能并不太好。如实在要用，也只能用于低倍的Ｄ／Ａ中。***的Ｄ／Ａ转换器，以ＭＫＳ为佳，但这类电容的致命弱点是耐热性能较差，焊接时宜掌握好时间。
前面提到电解电容不宜用于音频耦合，但对于一些音频电解电容如ＢＬＡＣＫＧＡＴＥ、ＥＬＮＡ ＦＯＲ ＡＵＤＩＯ、ＳＩＬＭＩＣ牌电容则另当别论。这类电容的性能是非常不错的，尤其是ＥＬＮＡ、ＳＩＬＭＩＣ电容。笔者曾在自己的ＬＭ３８８６功放上做过试验，当用两只ＥＬＮＡ ＳＩＬＭＩＣ２２μＦ／２５Ｖ换下ＬＭ３８８６输入端的Ｒｕｂｙｃｏｎ（红宝色）的ＢＬＡＣＫＧＡＴＥ ２２μＦ／２５Ｖ。开机放音时，明显感觉音色变了，颇有几分胆色，高、中音抢耳，低频下潜了许多。惊喜之余，细细观赏，这种电容外观为棕色，印有ＥＬＮＡ ＳＩＬＭＩＣ金字，体积较大，接线脚为无氧铜材料，其介质损耗角ｔｇ ＆特别低（仅０．０７），与ＭＫＰ的电容ＳＯＬＥＮ已相差无几，难怪有如此好的表现。由于电解电容的高频特性较差，我们还可以在音频电解电容两端并联一只薄膜电容，但其容量不应小于电解电容容量的１／３，尤以ＭＫＰ、ＭＫＴ电容为佳。钽电解电容是近几年冒出来的一匹“黑马”，与铝电解电容相比，漏电小，耐压高，温度特性好，体积小，曾被发烧友大量用于替代铝电解电容，但其效果并不理想，中、高频的表现柔软乏力，缺乏一种清晰的分析力和穿透力，声象定位也不理想，而且其容量不能做得很大，价格较贵，其谐波失真（０．７％～０．９％）反而比铝电解电容（０．０１１％～０．０２５％）更大。
